二氧化铈表面氧缺陷结构被解
中化新网讯 近日，华东理工大学化学学院计算化学中心龚学庆教授课题组的研究成果—《氧空位在二氧化铈（111）面的聚集行为：羟基的关键作用》，化解了该研究领域对二氧化铈表面氧缺陷结构多年的争论。该课题组利用密度泛函理论（DFT）计算，提出并证实一种令人意想不到的解释模型，即材料当中难以去除的羟基诱导了氧缺陷的聚集，能量上最优及次优的聚集形式恰好是直线形及三角形，与实验结果完全吻合。该研究工作不仅化解了二氧化铈表面氧缺陷结构数十年来的争论，并且更加规范了缺陷模型，将有助于研究其它可还原性金属氧化物的缺陷结构及其物化性质。
文章来源:http://www.ccin.com.cn/ccin/news/2016/03/18/331497.shtml
页:
[1]