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二氧化铈表面氧缺陷结构被解

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发表于 2016-3-18 18:11:37 显示全部楼层 |阅读模式
  中化新网讯  近日,华东理工大学化学学院计算化学中心龚学庆教授课题组的研究成果—《氧空位在二氧化铈(111)面的聚集行为:羟基的关键作用》,化解了该研究领域对二氧化铈表面氧缺陷结构多年的争论。
  该课题组利用密度泛函理论(DFT)计算,提出并证实一种令人意想不到的解释模型,即材料当中难以去除的羟基诱导了氧缺陷的聚集,能量上最优及次优的聚集形式恰好是直线形及三角形,与实验结果完全吻合。该研究工作不仅化解了二氧化铈表面氧缺陷结构数十年来的争论,并且更加规范了缺陷模型,将有助于研究其它可还原性金属氧化物的缺陷结构及其物化性质。

文章来源:http://www.ccin.com.cn/ccin/news/2016/03/18/331497.shtml

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